集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 360MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200~560 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -430mV/-0.43V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 800mW/0.8W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar type High Current Switching Applications Applications • DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers,motor drivers, strobes. Features • Adoption of FBET, MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面型 高电流开关应用 应用 •DC-DC转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 特点 •通过FBET，MBIT过程。 •大电流容量。 •低集电极 - 发射极饱和电压。 •高速开关。 •高允许功耗。 |