集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -800mA/-0.8A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 120~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Low Frequency Transistor Features 1) Low VCE(sat) 2) Complements to 2SD1781K |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 低频晶体管 特点 1）低VCE（SAT） 2）补充型2SD1781K |