集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -160V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -160V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -1.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 50MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 56~180 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -2V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Power Transistor Features 1) High breakdown voltage. 2) Low collector output capacitance. 3) High transition frequency.(fT = 50MHZ) 4) Complements the 2SD1918 |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）高的击穿电压。 2）低集电极输出电容。 3）高转换频率（FT =50MHZ） 4）补充2SD1918 |