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  • Model：2SB1275HRATLQ
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：03+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：B1275
  • Package：TO-252/DPAK/SC-63/CPT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-160V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		-160V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		-1.5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 50MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		56~180
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-2V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		1W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Power Transistor Features 1) High breakdown voltage. 2) Low collector output capacitance. 3) High transition frequency.(fT = 50MHZ) 4) Complements the 2SD1918
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）高的击穿电压。 2）低集电极输出电容。 3）高转换频率（FT =50MHZ） 4）补充2SD1918

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1275HRATLQ
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