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Inventory:123900 Min Order：10
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  • Model：2SB1427 T100E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+18KROHS 05+NOPB47KM+1100
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BJE
  • Package：SOT-89/SC-62/MPT

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		−20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		-2A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 90MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		390~820
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		−500mV/-0.5V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Power transistor Features 1) Low saturation voltage, 2) Excellent DC current gain characteristics.
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）低饱和电压， 2）优秀DC电流增益特性。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1427 T100E
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