Please log in first
Home
Cart0
Inventory:24000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SB1462J-R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+18Knopb
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：AR
  • Package：SOT-523

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−100mA/-0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 80MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		180~390
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		−500mV/-0.5V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		125mW/0.125W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor For general amplification Complementary to 2SD2216J Features 1)High foward current transfer ratio hFE. 2)Mini Power type package
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 对于一般的放大 补充型2SD2216J 特点 1）高FOWARD的电流传输比HFE。 2）小功率型封装

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1462J-R
*Title：
Message：
*Code：