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  • Model：2SB852K
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：UB
  • Package：SOT-23/SC-59/SMT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−32V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−300mA/-0.3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		200MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		5000
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-1.5V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsHigh-gain Amplifier Transistor Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in 4kΩ resistor between base and emitter. 3) Complements the 2SD1383K.
描述与应用高增益放大器晶体管 特点 1）达林顿连接高直流电流增益。 2）内置4KΩ基极和发射极之间的电阻。 3）补充2SD1383K

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB852K
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