集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
11V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
3.2GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
82~180 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Features •High-Frequency Amplifier Transistor (11V, 50mA, 3.2GHz) •High transition frequency. (Typ. fT= 3.2GHz) •Small rbb’⋅Cc and high gain. (Typ. 4ps) •Small NF. |
| 描述与应用 |
特点 •高频晶体管放大器（11V，50mA时3.2GHz的） •高转换频率。 （典型值英尺=3.2GHz的） •小RBB'⋅CC和高增益。 （典型值4PS） •小NF。 |