集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
16V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
8V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
9Ghz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
135~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features •NPN Epitaxial planar silicon transistor •Low noise : NF=1.2dB typ (f=1GHz). •High gain : S21e2=15dB typ (f=1GHz). •High cutoff frequency : fT=9.0GHz typ. |
| 描述与应用 |
特点 •NPN外延平面硅晶体管 •低噪音：NF=1.2分贝典型值（F =1GHz的）。 •高增益：S21E2=15分贝典型值（F =1GHz的）。 •高截止频率：：FT =9.0GHZ典型。 |