集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 60mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 5GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 60~120 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | Features • SILICON TRANSISTOR • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD • High fT : 5.0 GHz TYP. (@ VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz) • Low Cre : 0.9 pF TYP. (@ VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz) • Ultra Super Mini Mold Package. (1.6 mm × 0.8 mm) |
| 描述与应用 | 特点 •硅晶体管 •NPN硅外延晶体管3针超超MINI模具 •高FT：5.0 GHz的TYP。 （@ VCE= 5 V，IC =5毫安，F =1千兆赫） •低CRE：0.9 PF TYP。 （VCB=5 V，IE=0时，F =1兆赫） •超超级迷你模具包装。 （1.6毫米×0.8毫米） |