集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 9V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 6V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 30mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 12Ghz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 75~150 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 125mW/0.125W |
| Description & Applications | Features • SILICON TRANSISTOR • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD • Low Voltage Use. • High fT : 12.0 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz) • Low Cre : 0.4 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz) • Low NF : 1.5 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz) • High |S21e|2: 8.5 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz) • Ultra Super Mini Mold Package. |
| 描述与应用 | 特点 •硅晶体管 •NPN硅外延型晶体管3针超超迷你模具•低电压使用。 •高FT：12.0 GHz的TYP。 （@ VCE= 3 V，IC=10 mA时，F= 2千兆赫） •低CRE：0.4 PF TYP。 （@ VCE=3 V，IE= 0时，F =1兆赫） •低噪声系数：1.5 dB典型值。 （IC= 3毫安，@ VCE= 3 V，F =2吉赫） •高| S21E|2：TYP8.5分贝。 （@ VCE= 3 V，IC=10 mA时，F= 2千兆赫） •超超级迷你模具包装。 |