集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
150~300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(Ultra super mini type) FEATURE Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=0.3V max（@Ic=100mA,IB=10mA） Excellent linearity of DC forward gain. Ultra super mini package for easy mounting APPLICATION Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application. |
| 描述与应用 |
低频率AMPLIFY应用 硅NPN外延型（超超超迷你型） 特点 体积小集电极到发射极饱和电压。 VCE（sat）的=0.3V最大（在@ Ic=100MA，IB=10毫安） 的DC的前锋的出色的线性度有所收获。 超超超迷你封装用于轻松安装， 应用 混合集成电路，小型机低频电压放大应用程序。 |