集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 3V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 4.5Ghz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 30~200 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 400mW/0.4W |
| Description & Applications | High Frequency Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION 2SC5547 is SC-62(SOT-89) package resin sealed silicon NPN epitaxial transistor. It is designed for high frequency application. FEATUREs ･High gain bandwidth product. fT=4.5GHz ･High gain,low noise ･Can operate at low voltage. ･SC-62(SOT-89)package easy mountaing APPLICATION For TV tuners,high frequency amplifier. celluar phone system. |
| 描述与应用 | 高频放大应用 硅NPN外延型 说明 2SC5547是SC-62封装（SOT-89） 树脂密封硅NPN外延晶体管。 它是专为高频应用。 特点 ·高增益带宽积。 FT =4.5GHz的 ·高增益，低噪声 ·可在低电压下运行。 ·SC-62封装（SOT-89）容易mountaing的 应用 对于电视调谐器，高频放大器。 细胞电话系统。 |