集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV/0.15V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Medium Power Transistor (32V, 1A) Features *Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.15V (typical). (IC /IB = 500mA/50mA) * Complements the 2SB1132 / 2SB1237. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 |
中等功率晶体管（32V，1A） 特点 *低VCE（sat）的，VCE（饱和）=0.15V。 （IC / IB500mA/50mA） *补充 2SB1132/2SB1237。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |