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Inventory:2860 Min Order：10
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  • Model：2SD1898-p
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+1RNOPB 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DFP
  • Package：SOT-89/SC-62/MPT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		80V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		100MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		82~180
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		150mV/0.15V
耗散功率Pc
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsFeatures * High VCEO, VCEO = 80V * High IC, IC = 1A (DC) * Good hFE linearity. * Low VCE(sat). Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用特点 *高VCEO VCEO=80V *高IC IC= 1A（DC） *良好的HFE线性。 *低VCE（SAT）。 ？结构 外延平面型 NPN硅晶体管

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD1898-p
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