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Inventory:300 Min Order：10
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  • Model：2SD2118TLQ
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D2118
  • Package：TO-252/CPT3

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		150MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		120~390
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		250mV/0.25V
耗散功率Pc
Power Dissipation		1W
Description & Applications applications Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features * Low VCE(饱和). VCE(饱和) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) * Excellent DC current gain characteristics. structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
描述与应用应用 低VCE（sat）的晶体管（频闪闪光） 特点 *低VCE（饱和）。 VCE（饱和）= 0.25V （IC / IB= 4A/0.1A） *优异的DC电流增益特性。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD2118TLQ
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