集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 150MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 210 ~ 340 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 100mV/0.1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 125mW/0.125W |
| Description & Applications | Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB1462J Features • High forward current transfer ratio hFE • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) |
| 描述与应用 | NPN硅外延平面型 对于一般的放大 互补2SB1462J的 特点 •高正向电流传输比HFE •低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat） |