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Inventory:5300 Min Order：10
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  • Model：2SJ182
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：J182
  • Package：TO-252/DPAK

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.28Ω @-2A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.0-2.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		20W
Description & ApplicationsSILICON P-CHANNEL MOS FET Low on-resistance High speed switching Low drive current 4V gate drive device-can be driven from 5V source suitable for motor drive,DC-DCconverter,power switch and solenoid drive
描述与应用硅P沟道MOS场效应管 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4V栅极驱动器可以驱动从5V电源 适用于电机驱动器，直流 - 直流转换，电源开关和螺线管驱动

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ182
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