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Inventory:500 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：2SJ195
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：700
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：J195
  • Package：TO-252/DPAK/TP-FA

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.9Ω @-500mA,-4V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-2.1--3.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & Applicationsp-channel mos silicon fet very high-speed switching applications Low on resistance very high-speed switching Low-voltage drive
描述与应用p沟道MOS场效应晶体管硅 非常高速的开关应用 低导通电阻 非常高速开关 低电压驱动

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ195
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