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  • Model：2SJ212
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PO
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-500mA/-0.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.8Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.0--3.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance
描述与应用MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ212
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