最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage | -60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage | 20V |
最大漏极电流Id
Drain Current | -20A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance | 0.06Ω @-10A,-10V |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage | -1.5--2.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation | 35W |
| Description & Applications | FEATURES • Low on-state resistance: RDS(on)1 = 75 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –10 A) RDS(on)2 = 111 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –10 A) • Low input capacitance: Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V) • Built-in gate protection diode • TO-251/TO-252 package |
| 描述与应用 | 低通态电阻： 的RDS（on）1 =75mΩ最大。 （VGS=-10V，ID=-10 A） 的RDS（on）=111mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-10 A） •低输入电容： 西斯=1300 pF（典型值）。 （VDS= -10 V，V GS= 0 V） •内置栅极保护二极管 •TO-251/TO-252包 |