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Inventory:2000 Min Order：10
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  • Model：2SJ648
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+nopb
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：H1
  • Package：SOT-523

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-0.4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		1.17Ω @-2A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.8--1.8V
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsFEATURES •2.5 V drive available •Low on-state resistance RDS(on)1 = 1.45 Ω MAX. (VGS = −4.5 V,ID−0.2A) RDS(on)2 = 1.55 Ω MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −0.2 A) DS(on)3 = 2.98 Ω MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.15 A)
描述与应用•2.5 V驱动器可用 •低通态电阻 的RDS（on）1 =1.45Ω最大。 （VGS= -4.5 V，ID-0.2A） 的RDS（on）2 =1.55Ω最大。 （VGS= -4.0 V，ID= -0.2） DS（上）3=2.98Ω最大。 （VGS= -2.5 V，ID= -0.15）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ648
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