Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK1062
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KE
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.6Ω/Ohm @50mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switching Applications Interface Applications Features High Speed Switching Applications Analog Switching Applications Interface Applications Excellent switching time: ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 100 ms (min) @ID = 50 mA Low on resistance: RDS (ON) = 0.6 Ω (typ.) @ ID = 50 mA Enhancement-mode Complementary to 2SJ168
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用模拟开关应用 接口应用 特性 高速开关 应用模拟开关应用 接口应用 出色的开关时间：ton=14 ns（典型值 高正向转移导纳：YFS| =100 ms（最小@ ID=50毫安 低导通电阻RDS（ON=0.6Ω（典型值）@ ID=50毫安 增强型 互补2SJ168

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1062
*Title：
Message：
*Code：