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  • Model：2SK1960
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07nopb 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NR
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage7V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.12Ω/Ohm @1.5A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK1960 is an N-channel vertical MOS FET. Because it can be driven by a voltage as low as 1.5 V and it is not necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an actuator for low-current portable systems such as headphone stereos and video cameras. Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Gate can be driven by 1.5 V Low ON resistance
描述与应用MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET高速开关 2SK1960是一个N沟道垂直MOS FET。因为 它可以由一个电压驱动低至1.5 V，这是不 必要考虑驱动电流，这FET是理想的作为 执行器的低电流的便携式系统，如耳机 音响和摄像机 特性 MOS场效应晶体管 栅极可以由1.5 V驱动 低导通电阻

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1960
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