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  • Model：2SK1961
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：700
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K1961
  • Package：T0-252

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		15v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -15v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		40~75ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -1.2~-4.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Junction FET Applications High-frequency low-noise amp applications Features Adoption of FBET process Very low noise figure
描述与应用硅N沟道结型场效应晶体管应用 高频低噪声放大器的应用 特点 采纳FBET过程 非常低的噪声图

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1961
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