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  • Model：2SK2009
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KM
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1.2Ω/Ohm @50mA,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Features Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage Excellent switching times Low drain-source ON resistance Small package Enhancement-mode
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 高输入阻抗 低Ciss栅极阈值电压 优良的开关时间 低漏源导通电阻 小型封装 增强型

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2009
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