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  • Model：2SK2015
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K2015
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage150V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.7Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation750mW/0.75W
Description & ApplicationsSilicon N-channel Power F-mos Features Silicon N-Channel Power F-MOS High-speed switching No secondary breakdown For low-voltage drive Taping supply possible
描述与应用硅N沟道功率F-MOS 特性 硅N沟道功率F-MOS 高速开关 无二次击穿 对于低电压驱动 盘带供应可能

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2015
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