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  • Model：2SK208-O
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：11+ROHS 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：JO
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		50v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -50v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.6~1.4ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.4~-5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET High Breakdown Voltage : Vgds = -50V High Input Impedance :Igss = -1.0nA(Max.) (Vgs = -30V ) Low Noise : NF=0.5dB(Typ.) (Rg=100kΩ , f=120Hz) Small Package.
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 高击穿电压：Vgds=-50V 高输入阻抗：IGSS=1.0nA（最大）（VGS =-30V） 低噪音：NF=0.5分贝（典型值）        （RG=100KΩ，F =120Hz的） 小包装。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK208-O
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