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  • Model：2SK2099
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage30V
最大漏极电流Id Drain Current6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.6Ω/Ohm @3A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & ApplicationsN-CHANNEL MOS FET High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
描述与应用N沟道MOS-FET 特性 N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 无二次击穿 低驱动功率 高电压 VGS=±30V保证 防雪崩

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2099
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