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  • Model：2SK2170
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：JA
  • Package：SOT-523/SMCP

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		1.2~4.5ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.2~2.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & Applications•N-Channel Junction Silicon FET Applications · Low-frequency amplifier, analog switch, constant current source. Features · Ultrasmall-sized package permitting 2SK2170- applied sets to be made small and slim.
描述与应用•N沟道结硅FET 应用  ·低频放大器，模拟开关，恒 电流源。 特点  ·超小尺寸封装，允许2SK2170 应用设置作出小巧玲珑。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2170
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