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  • Model：2SK2219-21
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D21
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.14~0.24ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.2~1.2v
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & Applications•N-Channel Junction Silicon FET •Capacitor Microphone Applications •applied sets to be made small and slim. •Especially suited for use in audio, telephone capacitor microphones. •Excellent voltage characteristic. •Excellent transient characteristic.
描述与应用•N沟道结硅FET •电容传声器的应用 •应用集小型和超薄。 •特别适合用于音响，电话电容麦克风。 •优秀的电压特性。 •出色的瞬态特性。 •通过过程FBET。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2219-21
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