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  • Model：2SK2414-Z
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K2414
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current10A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.052Ω/Ohm @5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDESCRIPTION The 2SK2414 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications.DUSTRIAL USE Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance RDS(on)1 = 70 mΩ MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 5.0 A) RDS(on)2 = 95 mΩ MAX. (@ VGS = 4 V, ID = 5.0 A) • Low Ciss Ciss = 840 pF TYP. • Built-in G-S Gate Protection Diodes • High Avalanche Capability Ratings
描述与应用MOS场效应晶体管 SWITCHING N-CHANNEL POWER的MOS FET INDESCRIPTION 2SK2414 N沟道MOS场效应晶体管设计 为高电压开关applications.DUSTRIAL使用 特性 MOS场效应晶体管 低导通电阻 的RDS（on）1 =70mΩ最大。 （@ VGS=10V，ID= 5.0 A） 的RDS（on）2 =95mΩ最大。 （@ VGS= 4 V，ID= 5.0 A） •低连续供墨系统连续供墨系统= 840 PF TYP。 •内置的G-S栅极保护二极管 •高雪崩能力额定值

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2414-Z
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