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  • Model：2SK2973
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K1
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage17V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.2-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation1.5W
Description & ApplicationsMITSUBISHI RF POWER MOS FET DESCRIPTION 2SK2973 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF power amplifiers applications. Features MITSUBISHI RF POWER MOS FET High power gain:Gpe³13dB@VDD=9.6V,f=450MHz,Pin=17dBm High efficiency:55% typ Source case type SOT-89 package(connected internally to source)
描述与应用三菱射频功率MOS FET 说明 2SK2973是MOS FET型晶体管专门设计用于 VHF/ UHF功率放大器应用。 特性 三菱射频功率MOS FET 高功率增益：GPE³13分贝@ VDD=9.6V，F =450MHz的，针=17dBm的 高效率：55％（典型值） 源案件类型SOT-89封装（内部连接到源）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2973
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