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Inventory:8990 Min Order：10
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  • Model：2SK337209L
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：1H
  • Package：SOT-523

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current2mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSilicon Junction FETs (Small Signal) Silicon N-Channel Junction For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone Features Silicon N-Channel Junction For impedance conversion in low frequency For electret capacitor microphone High mutual conductance gm Low noise voltage of NV
描述与应用硅结场效应晶体管（小信号） 硅N沟道结 对于低频率阻抗转换驻极体电容式麦克风 特性 硅N沟道结 在低频率的阻抗变换 对于驻极体电容式麦克风 高互导GM 低噪声电压的NV

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK337209L
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