| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 2.7Ω/Ohm @50mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.3-2.3V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS=2.7 Ω typ. (VGS= 10 V , ID = 50 mA) RDS= 4.7 Ω typ. (VGS= 4 V , ID = 20 mA) 4 V gate drive device Small package (CMPAK) |
| 描述与应用 | 硅N沟道MOS FET 高速开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=2.7Ω典型值（VGS=10V，ID=50 mA时） RDS=4.7Ω（典型值）（VGS=4 V，ID=20毫安） 4 V栅极驱动装置 小型封装（CMPAK） |