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Inventory:487000 Min Order：100
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  • Model：2SK354700LSO
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB46RM+16K
  • Standard Package：10000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：5F
  • Package：sot-723

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage7V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance6Ω/Ohm @10mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.9-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSilicon Junction FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOSFET For switching Features Silicon n-channel MOSFET For switching High-speed switching Wide frequency band Gate-protection diode built-in
描述与应用硅结场效应晶体管（小信号） 硅N沟道MOSFET的开关 特性 硅N沟道MOSFET 对于开关 高速开关 宽的频率频段 内置栅极保护二极管

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK354700LSO
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