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  • Model：2SK3656
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：07NOPB 07NOPB
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WC
  • Package：SOT-89/PW-Mini

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage7.5V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage3.5V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.2-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications • Output power: PO =28.4dBmW (typ) • Gain: GP = 15.4dB (typ) • Drain efficiency: ηD = 64% (typ) Features VHF- and UHF-band Amplifier Applications Output power: PO =28.4dBmW (typ) Gain: GP = 15.4dB (typ) Drain efficiency: ηD = 64% (typ)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 VHF和UHF频段放大器的应用 •输出功率：：PO=28.4dBmW（典型值）。 •增益：GP=15.4分贝（典型值） •排水效率：ηD=64％（典型值） 特性 VHF和UHF频段放大器的应用 输出功率：PO=28.4dBmW（典型值） 增益：GP=15.4分贝（典型值） 漏极效率：ηD=64％（典型值）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3656
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