Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK508
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K53
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		15v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -15v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		25~50ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.6~-3.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		200mW/0.2W
Description & ApplicationsHIGH FREQUENCY AMPLIFIER N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR •HIGH FREQUENCY AMPLIFIER •Low input capacitance Ciss = 4.8 pF TYP. (VDS = 5.0 V, ID = 10 mA, f = 1.0 MHz) • High forward transfer admittance | yfs |2 = 26 mS TYP. (VDS = 5.0 V, VGS = 0 V, f = 1.0 kHz)
描述与应用高频放大器 N-沟道硅结型场效应晶体管 •高频放大器 •低输入电容    西斯=4.8 pF的TYP。 （VDS=5.0 V，ID=10 mA时，F =1.0兆赫） •高正向转移导纳  |的YFS|2= 26 ms典型。 （VDS= VGS=0 V，5.0 V，f = 1.0千赫）

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK508
*Title：
Message：
*Code：