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Inventory:14000 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：2SK536
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：03+2RNOPB 05+NOPB1200
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BJ
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance20Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.3-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-CHANNEL Enhancement MOS Silicon FET Analog Switching application Features N-Channel Enhancement MOS Silicon FET Analog Switch Application Large Yfs Small ON resistance
描述与应用N沟道增强型MOS FET硅 模拟开关应用 特性 N沟道增强MOS FET硅 模拟开关应用 大Yfs 小通态电阻

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK536
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