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Inventory:3000 Min Order：10
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  • Model：2SK880-GR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：00+ 11+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：XG
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		50v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -50v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		2.6~6.5ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.2~-1.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & Applications•Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type •Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications • High |Yfs|: |Yfs| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 kΩ • High input impedance: IGSS = −1 nA (max) at VGS = −30 V
描述与应用•场效应晶体管的硅N沟道结型 •音频频率低噪声放大器的应用 •高| YFS|：| YFS|= 15毫秒（典型值），在VDS=10V，VGS=0 •高击穿电压：VGDS=-50 V •低噪音：NF=1.0分贝（典型值）   在VDS= 10 V，ID=0.5毫安，F=1千赫，RG=1kΩ的 •高输入阻抗：IGSS= -1娜在VGS=-30 V（最大值）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK880-GR
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