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Inventory:2150 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：3LN01C
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：YA
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current150mA/0.15A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance2.9Ω/Ohm @80mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation250mW/0.25W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Silicon N-Channel MOS FET Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 超高速开关应用 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3LN01C
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