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  • Model：3SK252
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：U1E
  • Package：SOT-143

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage18V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-0.1-1/0-0.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD FEATURES • Low VDD Use : (VDS = 3.5 V) • Driving Battery • Low Noise Figure : NF1 = 2.0 dB TYP. (f = 470 MHz) NF2 = 0.8 dB TYP. (f = 55 MHz) • High Power Gain : GPS = 19.0 dB TYP. (f = 470 MHz) • Suitable for use as RF amplifier in CATV tuner. • Automatically Mounting : Embossed Type Taping • Package : 4 Pins Mini Mold
描述与应用MOS场效应晶体管 CATV调谐器射频放大器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚MINI模具 •低VDD使用方法：VDS=3.5 V） •驾驶电池 •低噪声系数：NF1= 2.0 dB（典型值）。 （六= 470兆赫） NF2=0.8 dB典型值。 （六= 55兆赫） •高功率增益：GPS=19.0 dB典型值。 （六= 470兆赫） •适合用作RF放大器CATV调谐器。 •自动安装：压花类型大坪 •包装：4针脚小型模具

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK252
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