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Inventory:150 Min Order：10
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  • Model：3SK284
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：U1
  • Package：SOT-343

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-6V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		4mA-16mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		-0.5V -- -1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTER .GaAs N-channel Dual Gate MES FET .Applications: TV TUNER,UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS.
描述与应用东芝场效应型晶体管. 砷化镓N沟道双栅MES FET. 应用: 电视调谐器，超高频 RF放大器.

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK284
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