Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：3SK296ZQ-TL-E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05 NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZQ
  • Package：SOT-343/CMPAK-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-0.5-0.5/0-1V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF amplifier Features •Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz •Capable of low voltage operation
描述与应用硅N沟道双栅MOS FET UHF RF放大器 •低噪声系数。 NF= 2.0 dB（典型值）在f =900 MHz的 •能够低电压操作

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK296ZQ-TL-E
*Title：
Message：
*Code：