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  • Model：APM2312AC
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.045Ω/Ohm 5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsN-Channel Enhancement Mode MOSFET Power Management in Notebook Computer , Portable Equipment and Battery Powered Systems. 16V/5A , RDS(ON) =35mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.) @ VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.) @ VGS=1.8V Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged SOT-23 Package
描述与应用N沟道增强型MOSFET 在笔记本电脑的电源管理， 便携式和电池供电设备系统。 16V/5A， RDS（ON） =35MΩ@ VGS= 4.5V（典型值） RDS（ON）=45mΩ（典型值）@ VGS= 2.5V RDS（ON）=60mΩ的（典型值）@ VGS=1.8V 超级高密度电池设计极 低RDS（ON） 可靠耐用 SOT-23封装

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
APM2312AC
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