集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 420~800 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −650mV/-0.65V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | General Purpose Transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment. |
| 描述与应用 | 通用晶体管PNP硅 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大45 V）。 应用 •低噪音录音机，音响放大器和其他声频设备阶段。 |