集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 25V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 15V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 25mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 1GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 90 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | NPN 1 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS A wide range of RF applications such as:Mixers and oscillators in TV tuners RF communications equipment. |
| 描述与应用 | NPN1 GHz的宽带晶体管 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。 应用 广泛的射频应用，如：混频器和振荡器在电视调谐器射频通讯设备。 |