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Inventory:36600 Min Order：10
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  • Model：BS870-7
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K70
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current250mA/0.25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green" Device (Notes 1 & 2)
描述与应用N-沟道增强型MOSFET 低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏 •铅，卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色” 设备（附注1及2）

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BS870-7
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