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Inventory:1140 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：BSP126
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10+rohs 10+ROHS1KM
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BSP126
  • Package：SOT-223/SC-73/TO261-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current375mA/0.375A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.005Ω/Ohm @300mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-2V
耗散功率Pd Power Dissipation1.5W
Description & ApplicationsN-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor •Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching • No secondary breakdown.
描述与应用N沟道增强模式 垂直D-MOS晶体管 •直接连接到C-MOS，TTL等 •高速开关 •无二次击穿

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BSP126
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