集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −15V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −15V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −200mA/-0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 1.5GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 30~120 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −450mV/-0.45V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP switching transistor FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 15 V). APPLICATIONS • High-speed, saturated switching applications for industrial service in thick and thin-film circuit |
| 描述与应用 | PNP开关晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大15 V）。 应用 •高速，饱和开关应用，为工业服务的厚薄膜电路。 |