| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 100V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 100V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 170mA/0.17A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 3.4Ω/Ohm @1.7A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.8-1.2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 360mW/0.36W |
| Description & Applications | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V High density cell design for extremely low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. |
| 描述与应用 | N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 BSS100：0.22A，100V。RDS（ON）=6W@ VGS= 10V。 BSS123：0.17A，100V。 RDS（ON）=6W@ VGS= 10V 高密度电池设计极低的RDS（ON） 电压控制小信号开关。 坚固,可靠 |